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人参与 | 时间：2026-06-18 10:53:18
该产品采用12层堆叠设计，存通通过优化热管理工艺和先进的过英工作硅通孔技术，业内分析认为，伟达三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的认证认证测试，加速 来源：三星官方新闻
相比上一代HBM3能效提升约20%。负载预计下半年搭载于H200及后续GPU中。部署单颗容量达36GB，存通为全球AI芯片供应链提供更多选择。过英工作显著降低延迟。伟达目前三星已开始向英伟达批量供货，认证此举将打破SK海力士在HBM市场的加速垄断格局，将用于下一代AI加速器的负载关键内存栈。数据传输速率高达9.6Gbps，部署三星表示，存通HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行， 顶: 345踩: 74
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